| 二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能 |
| Preparation and Properties of Resistive Random Access Memory Based on Tin Disulfide Nanosheets |
| 作者 | 单位 | E-mail | | 赵婷 | 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 | | | 坚佳莹 | 西安工业大学电子信息工程学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 | jianjiaying@xatu.edu.cn | | 董芃凡 | 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 | | | 冯浩 | 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 | | | 南亚新 | 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 | | | 常芳娥 | 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021 | |
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| 摘要: 采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片，并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器（Cu/PMMA/SnS2/Ag，PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯），对其阻变性能进行了研究。结果表明： Cu/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器的开关比约105，耐受性2.7×103。在上述2项性能指标达到较优水平的同时，开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。 |
| 关键词: 阻变存储器 二硫化锡 低操作电压 |
| 基金项目: 国家自然科学基金（No.51971166）资助。 |
| Abstract: Here, SnS2 nanosheets with the size of 50-100 nm were synthesized by hydrothermal method, and was used as the resistive layer material (Cu/PMMA/SnS2/Ag, PMMA=polymethyl methacrylate) for the first time. The results showed that the ON/OFF ratio of Cu/PMMA/SnS2/Ag resistive random access memory was about 105, and the endurance was 2.7×103. The on-state voltage and off-state voltage were only about 0.28 and -0.19 V, respectively. |
| Keywords: resistive random access memory tin disulfide low operating voltage |
| 投稿时间：2021-05-17 修订日期：2021-09-07 |
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| 赵婷,坚佳莹,董芃凡,冯浩,南亚新,常芳娥.二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能[J].无机化学学报,2021,37(11):2020-2028. |
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