n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能
Improved Performance of p-type Pentacene Thin Film Transistor by Inserting Thin Interlayer of n-type Organic Semiconductor
作者单位E-mail
李谊 南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093
南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123 
 
刘琪 南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093
南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123 
 
蔡婧 南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093
南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123 
 
王喜章 南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093
南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123 
wangxzh@nju.edu.cn 
胡征 南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093
南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123 
 
摘要: 在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2 nm厚的N,N-bis(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl)-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic diimide(NTCDI-C8F)和N,N'-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide (PTCDI-C8)层后,器件的阈值电压由-19.4 V显著降低到-1.8和-8.7 V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在105~106。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层的方法来构建具有低阈值电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路。
关键词: 有机薄膜晶体管  n-型有机半导体  插入层  阈值电压  迁移率
基金项目: 国家自然科学基金(No.21473089), “973”项目(No.2013CB932902),苏州市科技发展计划项目(No.ZXG2013025)资助项目。
Abstract: The significantly improved performance of pentacene-based organic thin film transistors (OTFTs) is achieved by introducing thin n-type organic semiconductor interlayers of N,N-bis(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl)-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic diimide (NTCDI-C8F) and N,N'-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide (PTCDI-C8) between Au source/drain electrodes and the p-type pentacene active layer. By introducing 2 nm thickness of NTCDI-C8F or PTCDI-C8 layer, the threshold voltage of the OTFT devices is remarkably reduced from-19.4 to-1.8 and-8.7 V, respectively, and the mobility is enhanced about 2 times, while the on/off current ratio keeps at a level of 105~106. The results suggest a convenient way to achieve low-threshold-voltage pentacene-based organic thin film transistors with high mobility.
Keywords: organic thin film transistors  n-type organic semiconductor  interlayer  threshold voltage  mobility
投稿时间:2014-05-04 修订日期:2014-07-13
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李谊,刘琪,蔡婧,王喜章,胡征.n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能[J].无机化学学报,2014,30(11):2621-2625.
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